後摩爾時代，半導體市場對器件尺寸和材料提出了更高要求，原子層沉積(ALD)技術在新材料、三維結構、高深寬比微納結構、超薄膜工藝製程方面的優勢逐漸體現。

公司ALD、PEALD技術是納米級薄膜沉積解決方案的關鍵核心技術之一，可廣泛適用於電晶體、存儲器、圖案化、矽基微顯示和3D封裝等半導體及泛半導體應用。