致力於開發高介電常數、金屬化物等客戶製程所需的薄膜材料，存儲器MIM等薄膜材料；
擴展性開發低溫氧化矽、氮化矽，以及其他薄膜材料滿足各類客戶需求；
如下圖所示，Al₂O₃工藝和高k柵介質HfO₂工藝可達~100%的台階覆蓋率要求，並可完成設計疊層結構；
如下圖所示，可實現單腔由單元到多元薄膜材料厚度及組成的精確工藝，滿足器件設計所需的材料摻雜、疊層等微納製造要求。

致力於開發開發阻水功能薄膜，提升器件可靠性；
涉及領域包括OLED、Mini-LED、Mirco-LED等光電顯示領域；
利用器件級薄膜封裝（TFE），代替傳統PCB封裝，有效阻隔水汽和氧氣等的侵蝕，解決其對發光材料等有機功能層的損傷問題，延緩器件的老化和失效，保障器件性能穩定性，延長發光器件的使用壽命，並可進一步實現柔性材料的封裝效果；
如下圖所示，實現量產WVTR（Water Vapor Transmission Rate,即水汽透過率）近10^-4 g/day/m²量級，最佳WVTR表現低至10^-5 g/day/m²量級；

針對柔性基底，致力於開發阻水阻氧層、減反層、增透層、透明導電層、介電層等功能薄膜；
涉及領域包括顯示的柔性封裝阻水阻氧保護層，新型顯示器件的包覆層等；
如下圖所示，量產產品WVTR已實現10^-3g/(m².day）量級，如下圖所示，實驗室最佳WVTR表現低至10^-5g/(m².day）量級。

致力於開發離子導電界面層，人工SEI膜保護膜，鋰電池正、負極保護膜，量子點/微球顆粒鈍化膜、微納催化顆粒保護膜等；
涉及領域包括液態、半固態及全固態電解質動力鋰電池製造領域，光電器件領域中的量子點包覆、各類微納催化劑顆粒包覆等；
如下圖所示，通過自研設備，已實現多種氧化物工藝在多類納米尺寸粉體的表面全均勻包覆，並達到改善和增強的可靠性、安全性效果。